1. Методы получения, очистки и легирования монокристаллических материалов

2. Механическая обработка кристаллов полупроводниковых материалов

3. Полупроводниковые подложки и физико-химические методы обработки их поверхности

4. Диффузия в полупроводниках

5. Технология эпитаксиальных слоев

6. Ионная имплантация

7. Технология тонких пленок

8. Фотошаблоны и технология их изготовления

9. Литографические процессы в технологии микроэлектронных устройств

10. Сборка микроэлектронных устройств

11. Герметизация микроэлектронных устройств

Оглавление Предисловие . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Глава 1. Методы получения, очистки и легирования монокристаллических материалов . . . . . . . . . . . . . . . . 4 1.1. Основные материалы для полупроводниковых и микроэлектронных устройств.................4 1.2. Методы направленной кристаллизации из расплавов . . . . 17 1.3. Методы получения равномерно легированных монокристаллов полупроводников . . . . . . . . . . . . . . . . 42 1.4. Программирование кристаллизационного процесса (изменение условий роста монокристаллов) . . . . . . . . . . . 52 1.5. Маркировка и основные свойства поликристаллических и монокристаллических полупроводников . . . . . . . . 1 . . 54 Глава 2. Механическая обработка кристаллов полупроводниковых материалов.................61 2.1. Подготовка монокристаллов к резке на пластины . . . . . 61 2.2. Материалы для наклейки слитков, пластин и кристаллов . . . 67 2.3. Резка монокристаллов . . . . . . . . . . . . . 69 2.4. Материалы для шлифования и полирования монокристаллических материалов . . . . . . . . . . . . . . . . 78 2.5. Шлифование и полирование пластин . . . . . . . . . 87 2.6. Контроль качества пластин полупроводниковых материалов . . 94 2.7. Разделение пластин . . . . . . . . . . . . . .100 Глава 3. Полупроводниковые подложки и физико-химические методы обработки их поверхности . . . . . . . . т . . .105 3.1. Требования к полупроводниковым подложкам . . . . . ‚105 3.2. Методы контроля качества полупроводниковых подложек . . .108 3.3. Физике-химические методы обработки поверхности полупроводников 113 3.4. Ионно-плазменное травление . . . . . . . . . . .129 3.5. Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниковых подложках..................139 3.6. Методы получения окисных пленок германия . . . . . .145 Глава 4. Диффузия в полупроводниках . . . . . . . . .149 4.1. Физические процессы, происходящие при диффузии примеси в полупроводниках . . . . . . . . . . . . . . . .149 4.2. Расчет распределения примеси при диффузии . . . . . .154 4.3. Диффузия примесей III и V rpynn B кремнии с коэффициентом диффузии‚ зависящим от концентрации примеси . . . . . ‚163 4.4. Аномальные результаты процесса диффузии примесей III и V гpyпп B планарной технологии кремниевых приборов . . . . . ‚165 4.5. Методы проведения диффузии . . . . . . . . . . .172 4.6. Внешние источники примеси для кремния . . . . . . .177 4.7. Примесные покрытия . . . . . . . . . . . . .189 Глава 5. Технология эпитаксиальных слоев . . . . . . . .204 5.1. Физические основы процесса эпитаксии . . . . . . . . 204 5.2. Методы Проведения эпитаксии . . . . . . . . . . .204 5.3. Методы, стимулирующие эпитаксию . . . . . . . . .214 5.4. Легирование в процессе эпитаксии . . . . . . . . .227 5.5. Контроль параметров эпитаксиальных слоев . . . . . . . 228 Глава 6. Ионная имплантация . . . . . . . . . . . .231 6.1. Физические основы ионной имплантации . . . . . . . .231 6.2. Образование радиационных дефектов . . . . . . . . .239 6.3. Отжиг легированных структур . . . . . . . . . . .241 6.4. Технологическое оборудование для ионной имплантации . . ‚245 6.5. Ионная имплантация как технологический прием при создании МЭУ 257 6.6. Методы исследования ионно-легированных слоев . . . . .258 Глава 7. Технология тонких пленок . . . . . . . . . ‚262 7.1. Термовакуумный метод получения тонких пленок . . . . .262 7.2. Импульсное нанесение пленок . . . . . . . . . . .274 7.3. Получение пленок из ионизированных потоков многоатомных частиц методами ионного осаждения . . . . . . . . . . .278 7.4. Методы определения толщины пленок . . . . . . . .295 Глава 8. Фотошаблоны и технология их изготовления . . . . .298 8.1. Общие сведения, термины и определения . . . . . . .298 8.2. Основное технологическое оборудование для изготовления ФШ .302 8.3. Конструкция фотошаблонов . . . . . . . . . . . 307 8.4. Технология металлизированных фотошаблонов . . . . . . .312 8.5. Технология цветных фотошаблонов . . . . . . . . .322 8.6. Контроль параметров фотошаблонов. Основные виды дефектов ФШ и их определение . . . . . . . . . . . . . .328 8.7. Ретушь и корректировка топологии фотошаблонов . . . . .334 Глава 9. Литографические процессы в технологии микроэлектронных устройств . . . . . . . . . . . . . . . .336 9.1. Сущность фотолитографии и основные процессы . . . . ‚336 9.2. Реперные знаки в фотошаблонах . . . . . . . . . .345 9.3. Удаление резистивной маски маскирующей пленки ФР . . . .350 9.4. Методы переноса изображений . . . . . . . . . . .355 9.5. Электронно-лучевая литография . . . . . . . . . .369 9.6. Рентгеновская литография . . . . . . . . . . . ‚383 9.7. Ионно-лучевая и голографическая литографии . . . . . . 391 9.8. Процессы травления в литографии . . . . . . . . ‚397 Глава 10. Сборка микроэлектронных устройств . . . . . . . б 419 10.1. Монтаж кристаллов у плат микросхем в МЭУ . . . . . . 419 10.2. Микросварка при монтаже выводов МЭУ . . . . . . ‚431 10.3. Рабочий инструмент для микросварки . . . . . . . .441 10.4. Технология микросварки . . . . . . . . . . . .448 10.5. Контроль качества микросварных соединений проводник- пленка 453 10.6. Припои и технология микропайки при сборке МЭУ . . . . . 461 10.7. Электропроводящие клеи . . . . . . . . . . . . 465 10.8. Беспроволочный монтаж . . . . . . . . . . . .470 Глава 11. Герметизация микроэлектронных устройств . ‚ . . . . 475 11.1. Конструктивно-технологические разновидности герметизации . . 475 11.2. Корпусная герметизация на основе неорганических материалов .476 11.3. Герметизация корпусов контактной сваркой . . . . . . . 479 11.4. Герметизация сваркой давлением . . . . . . . . . ‚487 11.5. Герметизация сваркой плавлением . . . . . . . . . .490 11.6. Герметизация корпусов пайкой . . . . . . . . . . .499 11.7. Герметизация на основе органических материалов . . . . .504 11.8 Соединения ВЫВОДОВ МЭУ на печатном монтаже . . . . . 518 Список литературы . . . . . . . . . . . . . . . 526